Intel y Micron lanzan la NAND de 25 Nanmetros

Intel Micron
Intel Corporation y Micron Technology anunciaron hoy la primera tecnologa NAND de 25 nanmetros (nm) del mundo, que ofrece una va ms rentable para aumentar la capacidad de almacenamiento en aparatos de consumo tan populares como los smartphones o los reproductores personales de msica (PMPs, del ingls “personal media players”), as como la nueva clase de alto desempeo de unidades de estado slido (SSDs, del ingls “solid-state drives”).

La memoria flash NAND almacena datos e informacin contenida en los productos de electrnica de consumo, reteniendo la informacin incluso cuando estn apagados. El avance hacia procesos NAND ms pequeos hace posible el desarrollo continuo y el lanzamiento de nuevos usos para la tecnologa. El proceso de 25 nm no solamente es la tecnologa NAND ms pequea, sino que tambin es la tecnologa de semiconductor ms pequea del mundo. Este logro tecnolgico hace posible el almacenamiento de ms msica, video y otros datos en los aparatos electrnicos y las aplicaciones para computadoras de hoy.

Fabricado por IM Flash Technologies (IMFT), aliado estratgico de Intel y Micron, el proceso de 25 nm produce 8 gigabytes (GB) de almacenamiento en un simple dispositivo NAND, creando una solucin de almacenamiento de alta capacidad para los pequeos aparatos de electrnica de consumo de hoy. Mide tan slo 167 mm2; es decir, es lo suficientemente pequeo como para caber en el agujero del medio de un disco compacto (CD), aunque tenga ms de 10 veces la capacidad de datos de ese CD (un CD estndar almacena 700 megabytes de datos).

Comprometidos con la inversin en investigacin y desarrollo de NAND, Intel y Micron han duplicado la densidad de NAND aproximadamente cada 18 meses, lo que lleva a productos ms pequeos, ms rentables y con ms capacidad. Intel y Micron formaron IMFT en 2006 e iniciaron la produccin con un proceso de 50 nm, seguido por un proceso de 34 nm en 2008. Con el proceso de 25 nm de hoy, las empresas estn extendiendo todava ms su proceso y liderazgo de fabricacin, con el lanzamiento de la litografa de semiconductor ms pequea disponible en la industria.

El dispositivo de 25 nm y 8 GB se est probando actualmente y se espera que entre en produccin masiva en el segundo trimestre de 2010. Para los fabricantes de productos de electrnica de consumo, el dispositivo ofrece la ms alta densidad en una pastilla de clula multinivel (MLC, del ingls “multi-level cell”) de 2 bits por clula que encajar en un paquete delgado y de formato pequeo de estndar industrial (TSOP, del ingls “small-outline package”). Mltiples dispositivos de 8GB pueden apilarse en un paquete para aumentar la capacidad de almacenamiento. El nuevo dispositivo de 25 nm y 8GB reduce la cuenta de chips en un 50 por ciento en comparacin con las generaciones de procesadores anteriores, lo que permite diseos ms pequeos pero con densidad ms elevada y mayor rentabilidad. Por ejemplo, una unidad de estado slido (SSD) ahora puede habilitarse con apenas 32 de estos dispositivos (contra 64 anteriormente), un smartphone de 32 GB necesita apenas cuatro y una tarjeta flash de 16 GB requiere slo dos.

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